什么是碳化硅SiC及碳化硅SiC有哪些特點
碳化硅（SiC）是一種自然界中罕見的共價化合物，其中碳（C）和硅（Si）以一一對應的方式相互結(jié)合。
碳化硅（SiC）具有高硬度、良好的耐熱性和良好的導熱性，因此被用作磨料和耐火材料。此外，由于其在高溫下的優(yōu)異耐熱性，它最近作為半導體等材料受到了廣泛關注。
高硬度
碳化硅（SiC）是地球上第三硬的化合物，使其不易因壓縮而變形。其新莫氏硬度為13，只有金剛石（新莫氏硬度：15）和碳化硼（新莫氏硬度：14）具有更高的硬度。
低熱膨脹
碳化硅（SiC）對因溫度升高而引起的長度和體積變化具有很強的抵抗力。與金屬相比，它的抗熱沖擊性極高，熱膨脹率較低，為 4.5 x 10-6/ °C，同時具有導熱性。
良好的抗氧化性
顆粒狀碳化硅（SiC)在700 °C或更高溫度下開始氧化，該溫度取決于它是燒結(jié)物體還是粉末，如果是粉末形式，則取決于其大小。
碳化硅（SiC）與氧反應產(chǎn)生的氧化產(chǎn)物是 SiO2（二氧化硅），其密度足夠大，可以覆蓋碳化硅（SiC）的整個表面，從而限制氧化（高氧分壓下的保護性氧化），從而保護碳化硅（SiC）免受氧化。
在高溫和低氧分壓下，碳化硅（SiC）會變成 SiO 并蒸發(fā)，數(shù)量減少但不會產(chǎn)生 SiO2。
卓越的耐熱性
碳化硅（SiC）具有極高的耐熱性。它在空氣中高達 1,600°C 的溫度下仍保持穩(wěn)定，其分解溫度為 2,545°C。尤其值得注意的是其出色的耐高溫性。
良好的導熱性
碳化硅（SiC）是良好的熱導體。燒結(jié)體的導熱率為 270 W/m·K，與準金屬相當。
半導體特性
碳化硅（SiC）是一種半導體，其電阻變化大于 10 位數(shù)，范圍從可用作加熱元件的電阻區(qū)到接近絕緣的區(qū)域。此外，由于其絕緣擊穿電場高、導熱性高且?guī)秾挘ū?Si 寬兩到三倍），因此高溫半導體等功率器件的研究和開發(fā)正在積極進行中。
耐化學性好
碳化硅（SiC）化學性質(zhì)穩(wěn)定，耐酸堿腐蝕。加熱的氫氟酸和硝酸的混合酸以及濃氫氧化鈉均不會對它產(chǎn)生影響。但是，碳化硅可以通過碳酸鈉的熔融法分解，或通過氫氟酸、硝酸和硫酸混合物的高壓酸分解法分解。
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