碳化硅的化學(xué)性質(zhì)中最重要的是它的抗氧化性能，碳化硅在空氣中加熱到1000℃以上時，僅在其表面氧化，生成一層二氧化硅薄膜，這樣使得碳化硅有較好的抗氧化性能。1300℃時薄膜層二氧化硅開始有方石英析出，晶型的轉(zhuǎn)變引起薄膜層開裂，從而氧化速度有所增加。在1500~1600℃時，由于SiO2層的增厚，限制了氧化作用，這使得碳化硅能在1600℃高溫下長期穩(wěn)定使用。